TOPSwitch?GX系列第四代单片开关电源的原理

TOPSwitch?GX系列是美国PowerIntegrations公司继TOPSwitch?FX之后，于2000年底新推出的第四代单片开关电源集成电路，并将作为主流产品加以推广。下面详细阐述TOPSwitch?GX的性能特点、产品分类和工作原理。

1TOPSwitch?GX的性能特点及产品分类

1.1性能特点

（1）该系列产品除具备TOPSwitch?FX系列的全部优点之外，还将最大输出功率从75W扩展到250W，适合构成大、中功率的高效率、隔离式开关电源。

（2）采用TO?220?7C封装的TOP242～TOP249产品，新增加了线路检测端（L）和从外部设定极限电流端（X）这两个引脚，用来代替TOPSwitch?FX的多功能端（M）的全部控制功能，使用更加灵活、方便。

（3）将开关频率提高到132kHz，这有助于减小高频变压器及整个开关电源的体积。

（4）当开关电源的负载很轻时，能自动将开关频率从132kHz降低到30kHz（半频模式下则由66kHz降至15kHz），可降低开关损耗，进一步提高电源效率。

（5）采用了被称作EcoSmart的节能新技术，显著降低了在远程通／断模式下芯片的功耗，当输入交流电压是230V时，芯片功耗仅为160mW。

1.2产品分类

根据封装形式和最大连续输出功率的不同，TOPSwitch?GX系列可划分成三大类、共14种型号，详见表1。型号中的后缀P、G、Y分别表示DIP?8B、SMD?8B、TO?220?7C封装。

表1TOPSwitch?GX的产品分类及最大连续输出功率POM

TOPSwitch?GX的引脚排列如图1所示。其中，TO?220?7C封装有6个引出端，它们分别是控制端C，线路检测端L，极限电流设定端X，源极S，开关频率选择端F，漏极D。利用线路检测端（L）可实现四种功能：过压（OV）保护；欠压（UV）保护；电压前馈（当电网电压过低时用来降低最大占空比）；远程通／断（ON／OFF）和同步。而利用极限电流设定端（X），可从外部设定芯片的极限电流。DIP?8B和SMD?8B封装仍保留多功能端M，并未设置开关频率选择端F，故等效于四端器件。其余引脚功能与TOPSwitch?FX相同。

图1TOPSwitch?GX的引脚排列(a)TO?220?7C封装(b)DIP?8B和SMD?8B封装

图2TOPSwitch?GX的内部框图 [!--empirenews.page--]

3TOPSwitch?GX的工作原理

采用Y封装的TOPSwitch?GX系列产品，其内部框图如图2所示。电路主要由18部分组成：

（1）控制电压源；

（2）带隙基准电压源；

（3）频率抖动振荡器；

（4）并联调整器／误差放大器；

（5）脉宽调制器（含PWM比较器和触发器）；

（6）过流保护电路；

（7）门驱动级和输出级；

（8）具有滞后特性的过热保护电路；

（9）关断／自动重起动电路；

（10）高压电流源；

（11）软起动电路；

（12）欠压比较器；

（13）电流极限比较器；

（14）线路比较器；

（15）线路检测端和极限电流设定端的内部电路；

（16）轻载时自动降低开关频率的电路；

（17）停止逻辑；

（18）开启电压为1V的电压比较器。

它与TOPSwitch?FX的主要区别为：新增加了第（16）、（17）、（18）项单元电路；给电流极限调节器也增加了软起动输出端；将频率抖动振荡器产生的开关频率提升到132kHz（全频模式）或66kHz（半频模式）；给频率抖动振荡器增加了一个“停止逻辑”（STOPLOGIC）电路，使之工作更为可靠。TOPSwitch?GX的工作原理仍然是利用反馈电流IC来调节占空比D，达到稳压目的。举例说明，当输出电压VO降低时，经过光耦反馈电路使得IC减小，占空比则增大，输出电压随之升高,最终使VO维持不变。

TOPSwitch?GX与TOPSwitch?FX的性能比较，详见表2。下面重点阐述TOPSwitch?GX新增功能电路的原理。

3.1轻载时自动降低开关频率的电路

对TOPSwitch?GX而言，开关频率及占空比能随输出端负载的降低而自动减小。其减小量与控制端流入的电流成反比。当控制端电流逐渐增大时，占空比能线性地减少到10％，但是当负载很轻时，占空比可低于10％。与此同时，开关频率也减少到最小值，以提高开关电源在轻载下的效率。当开关频率的正常值（即典型值）为132kHz时，频率最小值为30kHz，在半频模式下开关频率正常值为132kHz／2=66kHz，此时频率最小值就降至15kHz。该特性能保证开关电源在轻载时，仍保持良好的调节功能，并且降低了电源的开关损耗。开关频率f和占空比D与控制端电流IC的关系如图3所示。

图3开关频率和占空比与控制端电流的关系曲线

(a)f?IC关系曲线(b)D?IC关系曲线

表2TOPSwitch?GX与TOPSwitch?FX的性能比较 [!--empirenews.page--]

进一步分析可知，开关损耗是由片内功率开关管MOSFET的电容损耗和开关交叠损耗这两部分构成的。这里讲的电容损耗亦称CV2f损耗，它是指储存在MOSFET输出电容和高频变压器分布电容上的电能，要在每个开关周期开始时被泄放掉而产生的损耗。交叠损耗则是由于MOSFET存在开关时间而产生的。在MOSFET的通／断过程中，有效的电压和电流同时加到MOSFET上的时间很短，而MOSFET的开关交叠时间较长，这势必造成功率损耗。单片开关电源内部加有很小的米勒（Miller）电容，使得MOSFET的开关速度更快，其交叠损耗仅为分立开关电源的1/10左右，可忽略不计。但是，由TOPSwitch?GX构成的开关电源在额定输出功率下，MOSFET的电容损耗仍占总功耗的7％左右，这是不容忽视的问题。特别当开关电源的负载很轻时，电容损耗在总功耗中所占份额还会进一步增加。因此，轻载时令TOPSwitch?GX处于低频开关状态，这对于降低MOSFET的电容损耗至关重要。

3.2内部极限电流与外部可编程极限电流

TOPSwitch?GX的漏极极限电流，既可由内部设定，亦可从外部设定。这是它与TOPSwitch?Ⅱ的另一显著区别。其内部自保护极限电流ILIMIT的最小值、典型值和最大值见表3，测试条件为芯片结温TJ=25℃。ILIMIT会随环境温度的升高而增大。TOPSwitch?GX在每个开关周期内都要检测MOSFET漏?源极导通电阻RDS(ON)上的漏极峰值电流ID(PK)。当ID(PK)>ILIMIT时，过流比较器就输出高电平，依次经过触发器、主控门和驱动级，将MOSFET关断，起到过流保护作用。将TOPSwitch?GX与TOPSwitch?Ⅱ进行比较后不难发现，TOPSwitch?GX的极限电流容许偏差要小得多。例如TOP223P/Y的容差为1.00±0.1A，相对偏差达(±0.1/1.00)×100％=±10％。而TOP244P/G的容差为1.00±0.07A，相对偏差减小到(±0.07/1.00)×100％=±7％。这表明，用TOP244P/G代替TOP223P/Y来设计开关电源时，由于TOP244P/G不需要留出过多的极限电流余量并且它把最大占空比提高到78％（TOPSwitch?Ⅱ仅为67％），因此在相同的输入功率／输出电压条件下，TOPSwitch?GX要比同类TOPSwitch?Ⅱ的输出功率高出10％～15％，并且还能降低外围元件的成本。

为方便用户使用，也可从外部通过改变极限电流设定端（X）的流出电流IX（用负值表示，单位是μA），来设定极限电流I′LIMIT值。I′LIMIT的设定范围是（30％

～100％）·ILIMIT。

表3内部自保护极限电流值

3.3远程通／断

TOPSwitch?GX是通过改变线路检测端流入（或流出）电流IX的大小及方向，来控制开关电源通、断状态的。线路检测端内部还增加了开启电压为1V的电压比较器，此开启电压可用于远程通／断控制。对于P/G封装的芯片，把晶体管或光耦合器的输出接到多功能端（M）与源极（S）之间，就用正逻辑信号（高电平）起动开关电源，加低电平信号则关断；而接在多功能端与控制端（C）之间，就改用负逻辑信号（低电平）起动开关电源，加高电平则关断。对于Y封装的芯片，将晶体管或光耦的输出分别接极限电流设定端（X）、线路检测端（L），亦可对开关电源的通／断进行遥控。