集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(三)

摘要：新推出的全桥移相控制器LM51346，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器LM5046：28个PIN脚功能(上接第9期)

    (13)同步整流器的控制输出(SR1、SR2)
    变压器二次侧采用同步整流可以大幅度提高效率，特别对于低输出电压的变换器，整流二极管的正向压降从0．5V～1．5V减到10mV～200mV。采用MOSFET的同步整流有效地降低了损耗，在典型应用中，变压器二次侧绕组为中心抽头式，输出滤波电感与之串联，同步整流的MOSFET提供接地通路，流过电感电流，从图3可见，当H01／L02导通时，功率传输从初级到次级。此时，SR1的MOSFET使能导通，而SR2的MOSFET关断，二次侧线圈接到SR2，MOSFET的漏极，电感电流连续流过SR2的MOSFET体二极管，体二极管会导致更大的损耗，此时，令SR2的MOSFET导通，大幅度降低功耗，为了防止电流短路，当H02／LO1使能时，SR2的MOSFET导通而SR1的MOSFET关断。

    在自由运转期，电感电流总是均衡地流过SR1和SR2的MOSFET，在H01／LO2导通之前，SR2的MOSFET被禁止，SR2的体二极管连续地携带大约一半的电感电流直到初级功率上升，将SR2 MOSFET的体二极管反偏，死区时间T1将设置允许SR的MOSFET关断的最小时间。
    SR驱动器由REF稳压器供电，每个SR输出都能源出0．1A，漏入0．4A电流驱动电压为5V，5V的SR信号使LM5046传输SR信号经过隔离边界，它可通过固态隔离器或变压器完成．实际的MOSFET源和漏电流由二次侧栅驱动供给。

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    T1和T2由外部接到RD1和RD2到AGND的电阻调节器，注意，当RD4应对最大占空比时，RD2则不，RD1和RD2电阻要紧靠IC，电阻值由下式计算：
   
    RD应在20～100k之间。如果死区T1为60ns。则RD1为20kΩ。
    (14)同步整流器的软起动
    前面已经讲过，LM5046包含二次侧的软起动功能，这样极大地令同步整流器进入稳态占空比，这个功能保持同步整流器在基本的软起动期间关断。允许输出电压线性地增长，进入预偏置负载，然后SR输出占空比增大，防止输出电压因不同二极管压降及导通电阻而扰动。再有，当LM5046加入偏置源时，SSSR电容由内部MOSFET放电，当SS电容充电到2V时，COMP将控制占空比，亦即ICOMP<800μA，SSSR放电，释放的SSSR电容开始由20μA电流源充电，在同步整流的软起动期间，SR1和SR2同时导通，如图5(a)所示，为防止任何的变压器不平衡，进入稳态如图5 (b)同步整流器输出可以用将SSSA端接地来禁止。

    (15)预偏置起动
    对功率变换器共同的需要是有一个单调的输出电压起动上升，进入预偏置负载，即预充电给输出电容，在预偏置负载条件下，如果同步整流器遭遇不成熟期，它将会从预充电的输出电容漏入电流。结果导致不希望有的输出电压下沉。这是不希望出现的，而且可能损坏功率变换器。LM5046使用独有的控制电路确保同步整流器的智能导通，输出电压单一方向上升，起动时，SSSR电容保持地电平，禁止同步整流的MOSFET，只允许其体二极管工作，一旦占空比开始由COMP控制替代软起动电容。亦即ICOMP<800μA及SS端电压>2V，同步整流器的软起动将起始。SSSR电容然后释放，由20μA电流源充电，进一步见图6。在SSSR端一个1V的偏置用来提供附加的延迟，这个延迟可以确保输出电压稳定，在同步整流MOSFET工作时防止任何反偏电流。 (未完待续)