基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器
扫描二维码
随时随地手机看文章
摘要:针对IGBT 驱动电路复杂且保护功能不尽完善的问题,设计了一个基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器,以及相应的前级驱动电路、 后级功率驱动电路和故障报警电路。该驱动器具有直接模式和半桥模式、驱动信号硬件互锁、硬件死区时间可调节、IGBT过流及短路保护、驱动电源过欠压监控和易于安装的特点。结合英飞凌EconoDUAL3封装IGBT模块,完成了即插即用型IGBT驱动器的硬件设计及调试,有效减小了双绞线传输方式寄生电容及寄生电感的影响。 IGBT具有耐压高、电流大、开关速度高和低饱和压降等优良特点,在牵引电传动、电能传输与变换、有源滤波等电力电子领域得到了广泛的应用。 IGBT模块的保护主要由IGBT驱动器来完成。驱动器是功率主电路与控制电路之间的接口,在充分发挥IGBT的性能、提高系统可靠性等方面发挥着重要作用。高性能的驱动器可使IGBT工作在比较理想的开关状态,如开关延时小、开关损耗低等。本文提出的驱动器设计采用瑞士CONCEPT公司最新推出的2SC0108T模块作为核心部件,设计了前级驱动电路、硬件死区电路、后级功率驱动电路、故障信号调理电路,试验结果证明该驱动器具有良好的驱动及保护能力。 1 2SC0108T简介 2SC0108T是一款高集成度低成本的超小型SCALE-2双通道驱动器。接口兼容3.3 V~15 V逻辑电平信号,栅极驱动电压为+15 V/-8 V,驱动电流为8 A,单通道输出功率为1 W,可以驱动600 A/1 200 V或 450 A/1 700 V的常规IGBT模块或并联IGBT模块,支持3级或多级拓扑。具有短路保护、过流保护和电源电压监控等功能。延迟时间为80 ns±4 ns,抖动时间为± 2ns。 为了使2SC0108T在主回路中的性能达到最优,必须设计相应的外围硬件电路,如驱动信号调理电路、IGBT功率驱动电路和故障信号调理电路,并集成到IGBT驱动器中。由于IGBT驱动信号频率较高,容易对其他模拟信号和数字信号造成干扰,而且,驱动信号线寄生电容和寄生电感对驱动器的性能、可靠性有重要影响,因此,传统的安装模式为驱动器和IGBT模块独立安装,通过双绞线连接以减少寄生电容、寄生电感的影响。本文从减小信号线寄生电容、寄生电感和电磁干扰(EMI)方面考虑,设计了一个直接安装于IGBT模块上的即插即用型IGBT驱动器。 2SC0108T内部结构图如图1所示,主要由三个功能模块构成,即逻辑驱动转化接口LDI(Logic-to-Driver Interface)、电气隔离模块和智能栅极驱动IGD(Intelligent Gate Driver)。 图1 2SC0108T内部结构图 第一个功能模块是由辅助电源和信号输入两部分组成。其中信号输入部分主要将控制器的PWM信号进行整形放大,并根据需要进行控制,之后传递到信号变压器,同时检测从信号变压器返回的故障信号,将故障信号处理后发送到故障输出端;辅助电源的功能是将输入的直流电压经过单端反激式变换电路,转换成两路隔离电源供给输出驱动放大器使用。 第二个功能模块是电气隔离模块,由两个传递信号的脉冲变压器和传递功率的电源变压器组成。防止功率驱动电路中大电流、高电压对一次侧信号的干扰。 第三个功能模块是驱动信号输出模块,IGD主要对信号变压器的信号进行解调和放大,对IGBT的短路和过流进行检测,并进行故障存储和短路保护。 2 IGBT驱动器设计 本文设计的IGBT驱动器主要由2SC0108T模块、前级驱动电路、后级功率驱动电路、故障信号调理电路构成,驱动器功能框图如图2所示。 图2 驱动器功能框图 由控制器产生的驱动信号A和B,经过前级驱动电路调理后,分别送入2SC0108T驱动信号端INA和INB,INA和INB分别控制IGBT模块的上桥臂和下桥臂。故障报警信号经信号调理电路输出。由于需要检测IGBT的过流、短路、二次侧电压等故障状态,以增强驱动信号的触发能力并改善IGBT的开关特性,设计了后级功率驱动电路。 2.1 工作模式 该驱动器有两种工作模式:直接模式和半桥模式。在直接模式下,两个通道之间相互独立,输入信号INA 控制通道1,输入信号INB控制通道2。在半桥模式下,输入信号INA为驱动信号,输入信号INB为使能信号。INB信号为低电平时, 封锁输出通道;INB 信号为高电平时, 使能输出通道。通过模式选择端(MOD)接地或对地接一个阻值在71K-182K之间的电阻来选择工作模式。半桥模式下, 死区时间Td可以通过MOD的电阻Rm的值来确定,其计算公式如下: 式中Rm的值为73K-182K时,死区时间可以设置在0.5us-3.8us之间# 当Rm取150K时,IGBT栅极驱动信号死区时间经测试为2.99us与理论计算值2.84us基本相符。 Rb为调节阻断时间输入端,Tb端可以用一个对地电阻Rb来设置阻断时间,计算公式如下: 式中Rb的值为71K-181K时,阻断时间可以设置在20ms-130ms之间,选择Rb为0Ω, 死区时间最小可以设为9us。Tb端不应悬空,可在Tb端接一个参考电压来设置阻断时间,其计算公式如下: 式中, 参考电压Ub在1.42v-3.62v范围内时,可以设置在20ms-130ms之间。 2.2 前级驱动电路 由于驱动器置于IGBT模块上,控制器与驱动板之间的逻辑信号走线相对较长。为了提高信号的驱动能力和抗干扰能力,设计了前级驱动电路,如图3所示。 图3 前级驱动电路 驱动信号先后经过了电平转换、电平箝位、死区/互锁电路和波形整形最终送入2SC0108T模块。因2SC0108T为高电平驱动方式,所以此功能电路设计成输入信号相对输出信号为反逻辑,即控制器驱动信号为低电平时,加在IGBT上的栅压为正向栅压来触发IGBT导通;反之,IGBT关断。当控制器上电复位或出现故障时,驱动信号为高电平,从而关断IGBT,提高了系统的可靠性和安全性。[!--empirenews.page--] 由Q101、Q102构成的电路网络主要完成两路信号的互锁和死区时间的设定,两路驱动信号的死区时间可以通过稳压管D108、D109的稳压值来调节,直接模式下(Rm=150 k),稳压管D108、D109的稳压值为3.3 V。硬件死区电路有效时,经试验测得死区时间为5.08 μs,死区时间可以满足实际工程中的需要。表1为互锁电路信号作用表。 由表1可知,2SC0108T工作在直接模式下,由于有互锁电路,避免了IGBT上下直通的可能。 表1 互锁电路信号作用表 2.3 故障信号调理电路 故障状态输出端SO1、SO2实时显示IGBT模块和供电电源的状态,并通过故障报警信号调理电路上报控制器。 因故障状态输出端SO1、SO2为集电极开路门电路,外部需接上拉电阻。当故障(初级侧欠压、二次侧欠压、IGBT过流或短路)发生时,相应的SOx输出低电平;否则,输出高电平。如果电源电压欠压,封锁驱动器并且两个故障输出端同时发出报警信号,直到电源电压工作正常。当二次侧发生故障(检测到IGBT模块短路或电源欠压)时,相应的故障输出端发出报警信号,在一个死区时间过后,相应的故障信号消失。所有故障状态均通过故障信号调理电路上报控制器。因故障状态输出端SO1、SO2为集电极开路门电路,故将两个故障输出端直接短接实现“或非”逻辑,作为故障报警信号公共端。当上述任何一种故障发生时,均作为有效故障信号上报控制器,并做相应处理,这样既可以简化电路硬件设计又可以提高驱动器的可靠性。经试验测得驱动器的欠压保护门限值为12.1 V,清除欠压故障电压门限值为12.8 V。 2.4 后级功率驱动电路 IGBT后级驱动电路为驱动信号输出通道和IGBT模块之间的电路接口。二次侧欠压、IGBT过流或短路故障状态的检测都是由后级功率驱动电路实现,如图4所示。 图4 后级功率驱动电路 VCE为IGBT集电极检测端,为了检测IGBT过流或短路,集电极检测端须通过图4所示的电路连接到IGBT的辅助集电极上。GH和GL分别为栅极开启和关断端,通过开启、关断栅极限流串并网络连接到IGBT的栅极。栅极限流阻值对驱动信号的前后沿陡度和IGBT的开关特性有影响。当阻值增大时,可以抑制栅极脉冲前后沿陡度、防止寄生振荡、减小开关dic/dt值、限制IGBT集电极尖峰电压;当阻值减小时,可能会导致G、E之间发生振荡以及IGBT集电极dic/dt值增加,引起IGBT集电极尖峰电压,使IGBT损坏。该功能电路的作用是,若栅极限流电阻发生开路故障,此电阻网络的阻值会增加,可以抑制驱动信号前后沿陡度、减小开关dic/dt值,可以保证即使栅极限流网络发生开路故障时,还能够触发IGBT,从而提高栅极后级驱动电路的可靠性。 二极管D1、D2用于二次侧欠压保护。当栅极驱动信号电压欠压时,不能触发IGBT导通,二极管因承受正向电压而导通,集电极检测端电压升高到设定值时,封锁相应的后级栅极驱动通道并通过故障输出端发出报警信号。为了防止误触发,二极管漏电流必须小。因正常导通时栅极驱动电压为+15 V,IGBT辅助集电极电压相对较低,为防止二极管反向击穿,其阻断电压应大于40 V。 当栅极处于失控状态、主电路突加电压时,由于集电极-栅极、栅极-发射极存在寄生电容,集电极电势的突然变化,就会有大小为C·du/dt的电流流过寄生电容(C为寄生电容容值),使栅极电势上升,误触发IGBT。为防止上述情况的发生,在GL和VE之间接一电阻Reg,为IGBT的栅极和发射极提供一个低阻抗回路,其阻值要求为22 kΩ或更大。 REF端内部集成有可以提供150 μA的恒流源,参考电阻Rth的阻值通过如下公式进行计算: 式中Vth为关断门限值电压。 此驱动器关少数民族门限值电压设置为2.85V,通过式(4)计算同参考电阻Rth的阻值为: 实际应用中,设计者可以根据IGBT模块的过流倍数来选取合适的关断门限值。 CA1、CA2为响应时间电容,其作用是以电阻Rth端电压为参考,通过与其串联电阻的充电时间特性来确定响应时间。 当触发IGBT导通时,测试信号无效。而IGBT导通需经过一定的开通时间,如果没有响应时间电容Ca,则在IGBT开通过程中,将导致比较器正极性端电压高于Vth而误报警。若电容选择合适,在IGBT开通过程中,使电容充电时间大于开通时间即可避免上述情况的发生。通常情况下,不同额定电流值的IGBT模块导通压降不同。额定电流为450 A的IGBT的导通压降一般情况为2 V,若IGBT工作中发生过流,其集电极电压会上升,并且正比于电流值。过流故障发生前电容Ca的电压为正常导通压降,过流时电容两端的电压与时间的关系为:y=2e-t/RC+UCE(1-e-t/RC)。当响应时间电容为33 pF,电阻R为120 kΩ,Vth为5.85 V,过流导通压降UCE为10 V时的MATLAB仿真曲线如图5所示。 图5 仿真曲线 实践中可以通过选择响应时间电容的容值,关断门限值电压Vth,IGBT过流倍数来计算图5中t1的值: 与传统的IGBT驱动器相比,即插即用型驱动器采用了与IGBT模块一体化的设计思想,减小了驱动信号线上寄生电容和寄生电感的影响,提高了驱动器的可靠性。本文基于2SC0108的即插即用型IGBT驱动器,通过对前级驱动电路、后级功率驱动电路及故障信号调理电路的设计,实现了多工作模式可选、多种故障状态检测及保护等功能。即插即用型IGBT驱动器的调试、试验和工程应用都验证了本驱动器设计的有效性和实用性。