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[导读]混合分立式功率放大器设计电路设计我们前面展示的分布式放大器技术对MMIC效果明显。然而,对于混合分立式设计来说,要实现多级是十分困难的。我们选择采用一种桥接T拓扑结构

混合分立式功率放大器设计

电路设计

我们前面展示的分布式放大器技术对MMIC效果明显。然而,对于混合分立式设计来说,要实现多级是十分困难的。我们选择采用一种桥接T拓扑结构,将单个晶体管的输入端匹配至50Ω。我们选择了合适的晶体管的尺寸,以便输出端的50Ω端口与其目标负载线完好匹配,因此,放大器输出端可以不匹配。我们选择了一款周长为1.24mm的晶体管。另外,借助周长为2.48mm的晶体管也可实现不错的负载线,其一般具有更高的效率和更低的功率密度。要进一步优化性能,可以在电路板级进行更多匹配。MMIC成品如图4所示。芯片的最终尺寸为1.277mm ×1.06mm。用周长为2.48mm的晶体管(本文中未讨论)打造的另一款芯片的尺寸为1.277mm ×1.305mm(大23%)。

 

 

图4:用于混合分立式功率放大器解决方案的MMIC成品图(左)和原理图(右)。

桥接T拓扑结构是Zobel网络的修改版,可以在输入端提供恒定阻抗。用于匹配晶体管输入端的拓扑结构如图4所示。该电路的匹配设计可在30MHz至2700MHz范围内提供良好的回波损耗性能。桥接T匹配的不足之处在于,网络损耗较大。然而,在这些低频下,晶体管拥有较大的增益,可以平衡掉这些损耗,从而使芯片在各种频率下均能无条件保持稳定。因此,对于该工作频率,桥接T是一种非常合适的选择,不会影响性能。

桥接T网络的低频性能在很大程度上取决于并联网络中的阻抗。为了在低频下实现实部阻抗,需要使用一个较大的电容。为此,我们用一个焊盘连接一个片外电容(见图4中的外部电容)。由于MMIC的输入端已匹配至50 Ω,因此,输入网络不需要进行其他匹配。此外,器件在尺寸设计上已在输出端提供近50 Ω的负载线,因此,输出匹配网络只需要一个串联L并联C网络以保障高频性能,然后,在低频下提供50Ω的负载阻抗以保障宽带性能。输入和输出匹配网络都采用了宽带偏置网络,并部署在一块4”×3”的应用板上。

混合式放大器的测量值

我们在一块用Rogers 4350B制成的电路板上对最终器件进行了测试。50Ω匹配输入表现良好,能在40MHz至2.7GHz的范围内实现10dB的回波损耗,在低至30MHz的频率范围内实现7dB的回波损耗(图5)。器件在低频下实现12dB的增益,在高频下实现17dB的增益。

在32V和脉冲条件下,放大器实现了5W的典型输出功率(或者,4W/mm的功率密度),在1至2.7GHz范围内实现45%的功率附加效率(图6)。我们选择了脉冲而非CW工作模式,因为评估板限制了总功耗。另外,我们在1至2.7GHz范围内对数据进行了测量,因为我们无法在1GHz以下构建脉冲试验台。

讨论

结果表明,两款放大器均能在30~2700 MHz范围内工作,二者具有相似的输出功率密度。完全匹配的MMIC在器件尺寸以及输出功率的选择方面表现出较大的灵活性,但其代价也比较大。另一方面,我们展示的混合式解决方案具有较为独特,器件尺寸固定,因此对性能形成了限制;较小或大得多的晶体管都无法在整个带宽范围内取得良好效果。但是,由于芯片尺寸非常小(为MMIC的1/4,但功率仅少一半),因此其代价更能令人接受。另外,最多可以使用两倍周长的晶体管,可实现类似MMIC的性能,芯片尺寸增幅也不大(23%),并且混合式解决方案可使用外部元件进行调整,以在特定频段范围内实现更加优化的性能。然而,MMIC解决方案由于要处理的寄生电容较少,所以可以实现卓越的性能。归根结底,如果系统侧重于打造一种低成本的解决方案,并且可以牺牲一定的性能,则混合式解决方案是更合适的选择。然而,如果系统要求以较高的代价提供特定的性能,则MMIC解决方案是更好的选择。尽管如此,实践表明,两种设计技术都是宽带条件下的有效选择。

 

 

图5:混合MMIC分立式功率放大器的小信号S参数实测值。

 

 

图6:混合式解决方案的实测Pout和漏极效率。放大器驱动至3dB压缩点,所用脉冲宽度为100us,占空比为20%。

结论

本文介绍了两种不同的放大器平台,即全集成式MMIC和混合封装式放大器,两者均可在30 ~2700MHz范围内实现领先的性能。其实现方法是在MMIC上运用行波技术,在混合式设计中,则是运用桥接T拓扑结构使晶体管匹配至50Ω。两种技术各有优点,在性能和成本方面各有折衷。

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