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面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制
基于 0. 18μm 工艺设计并实现了一款用于超高频植入式 RFID 芯 片的 温 度 传 感 器 。该 温 度 传 感 器 将 MOS管 作 为感温元件 ,采用基于亚阈值 MOS管的低功耗感温核 心 。传感器利用 PTAT 和 CTAT 两种电压延时器构成脉宽产生电 路 ,从而生成脉宽信号 ,并与时间数字转换器(TDC) 一起构成温度量化电路 。核心电路的版图面积为 298μm×261μm,测温范 围 为 35~ 45 ℃ 。 流 片测 试 结 果 表 明 , 三 颗 芯 片在 两 点 校 准 后 的 测 温 最 大 误 差为 ± 0. 4 ℃ , 关 键 温 区 的 最 大 误 差为 ±0. 2 ℃ , 实测功耗为 623 nW 。基于流片实测结果 ,发现了当前芯片的局限性 ,并提出 了 未来芯片结构的改进方向 。
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锂离子电池用保护电路的低功耗设计
90 年代出现的锂电池是能源技术领域的一个重要的里程碑。和其它二次电池相比, 锂电池具有更高的体积密度和能量密度, 因此在移动电话、个人数字助理(Personal D igital A s
