在电子电路设计中,MOS 管(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)凭借其低导通电阻、高开关速度等优势,广泛应用于各类电路的功率控制与信号切换。当 MOS 管用于控制电阻分压电路的关断时,有时会出现电压过冲现象,这不仅可能导致电路中其他元件的损坏,还会影响整个电路系统的稳定性与可靠性。深入探究 MOS 管控制电阻分压关断时出现过冲的原因,对于优化电路设计、保障电路正常运行具有重要意义。
通路隔离以及信号至机壳的隔离都必须高于待测器件的电阻,从而避免测量到的是开关卡特性,而不是需要测量的器件特性。吉时利707B和708B型半导体开关矩阵主机支持在半导体研究和过程控制监控环境中使用具有经过验证的