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助力高级光刻技术：存储和运输EUV掩模面临的挑战
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外(EUV)光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于7纳米及更小的高级节点，EUV光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外(EUV)光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于7纳米及更小的高级节点，EUV光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
