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UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两个650V SiC FET封装
2019年7月24日，美国新泽西州普林斯顿---新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。
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场效应晶体管共源共栅视频放大器电路
该场效应晶体管共源共栅视频放大器的特点包括非常低的输入负载以及其反馈可降低至零。使用2N5485是由于它的电容很低，而Yfs却很高。该放大器的频带宽度受R1和负载电容的限
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采用增益提高技术的两级放大器的设计
基于chartered 0.35 μm工艺，采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构，设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器.利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真，该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益，2.43 MHz的单位增益带宽，61.2°的相位裕度，96.3 dB的共模抑制比.
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一款高性能共源共栅运算放大器设计
摘要：基于CSMC0．5μm标准CMOS工艺，采用复用型折叠式共源共栅结构，设计一种折叠式共源共栅运算放大器。该电路在5V电源电压下驱动5pF负载电容，采用Cadence公司的模拟仿真工具Spectre对电路进行仿真。结果表明，
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提高共源共栅CMOS功率放大器效率的方案
摘要：利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案，使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路，在此基础上设计输入输出匹配网络
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一种恒跨导CMOS运算放大器的设计
摘要：设计了一种宽带轨对轨运算放大器，此运算放大器在3．3 V单电源下供电，采用电流镜和尾电流开关控制来实现输入级总跨导的恒定。为了能够处理宽的电平范围和得到足够的放大倍数，采用用折叠式共源共栅结构作为前
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0.6μmCMOS工艺全差分运算放大器的设计
本文给出了一种低电压全差分套筒式运算放大器的设计方法，同时对该设计方法进行了仿真，从仿真结果可以看出，在保证高增益、低功耗的同时，该设计还可以满足20 MHz流水线模数转换器中运放的设计要求。
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一种折叠共源共栅运算放大器的设计
本文介绍的运放是一种采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE（1P6M，1.8V/3.3V）CMOS工艺的折叠共源共栅运放，并对其进行了DC，AC及瞬态分析，最后与设计指标进行比较。
