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阈值电压和关断电压
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。 MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
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如何针对反向转换器的FET关断电压而进行缓冲
本文来研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在MOSFET关闭时
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