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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件在包络跟踪技术中的比拼
随着移动通信技术的飞速发展，尤其是5G及未来6G技术的不断演进，对射频(RF)系统的效率、带宽和功率密度提出了更高要求。在这一背景下，包络跟踪(Envelope Tracking, ET)技术作为一种有效提升射频功率放大器(RFPA)效率的方法，受到了广泛关注。而在包络跟踪技术的实现中，氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与硅功率器件之间的比拼，成为了技术前沿的热点话题。
随着移动通信技术的飞速发展，尤其是5G及未来6G技术的不断演进，对射频(RF)系统的效率、带宽和功率密度提出了更高要求。在这一背景下，包络跟踪(Envelope Tracking, ET)技术作为一种有效提升射频功率放大器(RFPA)效率的方法，受到了广泛关注。而在包络跟踪技术的实现中，氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与硅功率器件之间的比拼，成为了技术前沿的热点话题。
