分立氮化镓 (GaN) FET 的兴起增加了对更用户友好界面的需求,同时也提高了效率。半桥 GaN 功率级(例如LMG5200)具有用于高低 GaN FET 的单独驱动输入。两个输入(图 1 中的引脚 4 和 5)使我们能够优化效率,因为我们可以调整每个 FET 开启和关闭的确切点。
IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片,该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路,可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT,动态响应快,驱动能力强,工作频率高,且具有多种保护功能。