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SRII重磅推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
