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英飞凌实现GaN技术突破——单片高压CoolGaN BDS大幅简化双向开关设计GaN
受到低碳可持续发展和AI两大需求方向推动，全球功率半导体市场正在飞速增长，预计到2026年将达到262亿美元市场规模。传统的硅基设备（包括整流器、晶闸管、双极型晶体管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模块及IPM）在某些应用中会有所增长，但在其他市场正逐步被宽带隙（WBG）技术产品所取代。氮化镓（GaN）预计会快速增长，目前主要应用在消费电子领域，但将逐步进入工业和汽车领域。碳化硅（SiC）则将继续在高功率汽车和工业应用中保持增长并扩大渗透率。具体市场估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管），包括分立器件和集成器件，市场规模约为10亿美元；SiC MOSFETs和二极管，包括分立器件和模块，市场规模约为30亿美元。
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英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense，提高功率系统的性能和成本效益
【2024年7月9日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。
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双向开关前置的单相升压APFC变换器建模和仿真
0 引言传统单相升压APFC电路已经被广泛应用到功率因数校正电路中，但是该方案需要独立的不可控整流桥，置后的升压电感需要解决抗直流偏磁问题，而且升压电感的位置很不利于
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三种常见光电耦合器运行讲解
作为在近几年当中迅速崛起的一种半导体光电器件，光电耦合器拥有很多优点，比如体积小、寿命长，能在干扰较强的环境下工作等。因此，光电耦合器开始被大量的应用在电子电路
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风力发电用VSG的比较研究
本文首先讨论了基于变压器和双向开关的VSG 及基于全功率变流器的VSG的工作原理，基于变压器和双向开关的VSG 可以选择使用继电器、晶闸管或IGBT 构成双向开关，构建了实验样机，对几种不同的实现方法进行了比较研究，分析并通过实验对比了几种方案的优缺点。
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风力发电用VSG的比较研究
本文首先讨论了基于变压器和双向开关的VSG 及基于全功率变流器的VSG的工作原理，基于变压器和双向开关的VSG 可以选择使用继电器、晶闸管或IGBT 构成双向开关，构建了实验样机，对几种不同的实现方法进行了比较研究，分析并通过实验对比了几种方案的优缺点。
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矩阵变换器在风力发电系统中的应用研究
摘要：风力发电是一种重要的新能源技术。介绍了应用于新型风力发电系统的矩阵变换器，详细分析了具有9个双向开关的传统矩阵变换器与改进的双桥结构矩阵变换器，以及各自的优缺点。通过分析比较得出，双桥结构矩阵变换
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矩阵式变换器双向开关四步换流技术研究
摘要：对矩阵式变换器(MC)中双向开关的安全换流课题进行了研究。分析了各种换流方案，进而提出采用可编程逻辑元件(GAL)的四步换流方案，仿真和实验的结果证实了这种换流方案的可行性与可靠性。 关键词：矩阵式变换器
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矩阵式变换器双向开关四步换流技术研究
摘要：对矩阵式变换器(MC)中双向开关的安全换流课题进行了研究。分析了各种换流方案，进而提出采用可编程逻辑元件(GAL)的四步换流方案，仿真和实验的结果证实了这种换流方案的可行性与可靠性。 关键词：矩阵式变换器
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CMOS双向开关工作原理
CMOS双向开关也称CMOS传输门。CMOS双向开关在模拟电路和数字电路应用非常广泛。集成电路CMOS双向开关产品有CC4066/4051/4052/4053等，性能优良，使用方便且成本低。每个开关只有一个控制端和两互为输入/输出信号端，
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双向开关前置的单相升压APFC变换器建模和仿真
0 引言 传统单相升压APFC电路已经被广泛应用到功率因数校正电路中，但是该方案需要独立的不可控整流桥，置后的升压电感需要解决抗直流偏磁问题，而且升压电感的位置很不利于整个功率电路的集成。这些引起了人们对
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矩阵式变换器双向开关四步换流技术研究
对矩阵式变换器(MC)中双向开关的安全换流课题进行了研究。分析了各种换流方案，进而提出采用可编程逻辑元件(GAL)的四步换流方案
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矩阵式变换器双向开关四步换流技术研究
对矩阵式变换器(MC)中双向开关的安全换流课题进行了研究。分析了各种换流方案，进而提出采用可编程逻辑元件(GAL)的四步换流方案
