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东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！目前碳化硅（SiC）被广泛视为下一代功率器件的材料，因为它比硅的电压更高，损耗更低。然而，虽然碳化硅器件具有很大的发展前景，但该类器件的产品可靠性一直备受争议，这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFE...
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微电子所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展
日前，微电子所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展。阻变存储器（RRAM）是非挥发性存储器的一种重要的替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、高速、低功耗、可嵌入功能强等优点。微电子所纳米加工与新器
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OLED高光效需解决材料和结构问题
OLED照明要在效率上达到荧光灯的应用水平，其功率效率至少要达到70lm/W，虽然目前约100lm/W的OLED照明器件已经有报道，但这是在非常极端的情况下制造出来的，通常情况下制造出来的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W
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OLED高光效需解决材料和结构问题
OLED照明要在效率上达到荧光灯的应用水平，其功率效率至少要达到70lm/W，虽然目前约100lm/W的OLED照明器件已经有报道，但这是在非常极端的情况下制造出来的，通常情况下制造出来的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W
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OLED高光效需解决材料和结构问题
OLED照明要在效率上达到荧光灯的应用水平，其功率效率至少要达到70lm/W，虽然目前约100lm/W的OLED照明器件已经有报道，但这是在非常极端的情况下制造出来的，通常情况下制造出来的OLED照明器件的效率也只有30~50lm/W
