-
硅衬底InGaN基半导体激光器是个啥？
在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，位错密度小于6×108 cm-2，成功实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器，激射波长为413 nm，阈值电流密度为4.7 kA/cm2。
在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，位错密度小于6×108 cm-2，成功实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器，激射波长为413 nm，阈值电流密度为4.7 kA/cm2。
