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中科院微电子所在28nm RRAM存内计算电路取得进展
物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高的要求，基于新型存储器的非易失存内计算技术可以实现数据的原位存储与计算、最小化数据搬运带来的功耗与延迟开销，从而大幅提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素，阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算仍然面临计算性能与能效方面的限制。围绕上述关键问题，微电子所刘明院士团队采用跨层次协同设计的方法，提出了高并行与高效能比的新型RRAM存内计算结构。
