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宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术
几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅 (Si) 一直是这项技术的核心元素。经过几十年的发展，Si已经成为一种用途极为广泛的半导体。然而，Si在高功率、高频率、高效率、抗辐射、低噪声和光电能力等特定领域的应用却受到了限制。第三代半导体，尤其是宽带隙 (WBG) 半导体，提供了优于Si的性能优势，这也证明了有必要花费大量时间和精力来开发经济上可行的半导体制造基础设施和工艺。
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英飞凌与台达双强连手：以宽带隙技术抢攻高端服务器及电竞电源市场
【2022年7月8日，德国慕尼黑讯】数字化、低碳化等全球大趋势推升了采用宽带隙 (WBG)器件碳化硅/氮化镓 (SiC/GaN) 器件的需求。这类器件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。英飞凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 与台达电子工业股份有限公司 (TWSE: 2308) 两家全球电子大厂，长期致力于创新的半导体和电力电子领域，今日宣布深化其合作，强化宽带隙SiC及GaN器件在高端电源产品上的应用，为终端客户提供出色的解决方案。
