宽带隙

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宽带隙技术：21世纪电力电子应用的新规范

在过去的二十年中，研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了实验，这些材料显示出巨大的潜力来替代射频，发光，传感器和功率半导体应用中的现有硅材料技术。在新世纪即将来临之际，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)达到了足够的成熟度并获得了足够的吸引力，从而抛弃了其他潜在的替代方法，并得到了全球工业制造商的足够关注。

安森美(onsemi)
2020-07-02

氮化镓宽带隙电力电子应用