正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单,并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。值得一提的是,这些设计订单来自不同行业的客户,包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。 随着居林工厂第三厂区的正式运营投产,英飞凌正在持续扩大其在SiC生产制造领域的规模优势,提升产能效益,同时将宽禁带功率器件带入到一个更为广阔且多元的应用版图,助力行业向更高效、更可持续的未来迈进。
第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势,特别适用于5G射频和高压功率器件。
泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性到电源设计应用的全流程,帮助用好宽禁带技术,推动技术进步。
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术,意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装,分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
是德科技公司日前宣布,芯派科技采用了是德科技的功率器件动态参数测试解决方案,二者将共同为促进第三代半导体产业发展做出努力。
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)...
泰克科技日前发布了全新Keithley S530系列参数测试系统,该系统搭载了KTE 7软件,提供更多增强功能。S530平台使半导体制造商为高速增长的新技术增加参数测试功能,同时最大程度地减少资本投入和提高每小时晶圆制造效率。这将降低整体拥有成本,帮助制造商在竞争激烈的新兴市场中应对巨大的价格压力。
当采用宽禁带材料如碳化硅(SiC)半导体等精密器件时,至关重要的是选择一个不仅可提供产品,还可提供设计方案、信息和支援的供应商。安森美半导体具有内部的、端到端供应链的优势。
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被称为“宽禁带半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带扩散到导带所需的能量为:在硅中,该能量为1.1eV, SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致较高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200至1700V。由于使用了生产工艺,WBG设备显示出以下优势:
硅是半导体产业的代表元素,作为最基础的器件原料,硅的性能已经接近了其物理极限。近年来随着电动汽车、5G的新应用的普及,对于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化镓和SiC(碳化硅)等新材料半导体器件已经成为了行业内备受关注的产品。
大家可能都听说过SiC,那么知道他在汽车上的作用吗?对电动汽车,电信和工业应用中技术的不断增长的需求促使Soitec和Applied Materials共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅(SiC)基板的联合开发计划。该计划旨在提供技术和产品,以改善用于下一代电动汽车的SiC器件的性能和可用性。
相信很多人都听说过半导体,那么你知道碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体在功率应用方面(特别是在电源市场中)比硅半导体具有优势。但是,使用这些宽带半导体(宽禁带)的设计人员面临着现实生活中的挑战。
什么是碳化硅隔离栅器件?它的作用是什么?Maxim Integrated推出了一款碳化硅(SiC)隔离式栅极驱动器,用于工业市场的高效电源。该公司声称,与竞争解决方案相比,新设备的功耗降低了30%,碳足迹降低了30%。
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解决方案中的应用正在汽车和工业市场中加速发展。制作碳化硅(SiC)晶圆比制作硅晶圆要复杂得多,并且随着对SiC器件需求的增加,制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不确定SiC晶圆的来源。
科技的不断创新带动了半导体的不断发展,半导体电路中,出现了一个词,不是别的就是我们的主题,半导体禁带宽度?这个词的出现是解决电路中什么问题呢?带着各种疑问,我们一起学习起来吧~
网络通信、数据通信和工业电源正推动功率密度增加,而这正是云和5G计算所需。碳化硅(SiC)二极管用于功率因数校正(PFC)级,而氮化镓(GaN)/ SiC FET 也正在成为图腾柱和LLC级的选项。
化石燃料是一种有限的资源,一旦消耗殆尽,世界将面临前所未有的能源危机。正因如此,电在我们日常生活的方方面面都至关重要。几乎人人都了解汽车、公交车和卡车将成为电动车,但很少有人知道航空学正在取得类似的进展-最终导致电动飞机的出现。