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如何在射频应用中实现超快速电源暂态响应
本文展现了在无线尤其是在射频领域应用中，实现超快速电源瞬态响应的实用方法。其旨在解决由于电源瞬态消隐时间，给系统设计开发者带来的信号处理效率低下的问题与挑战。针对不同的应用，ADI提出了相应的示例解决方案，并引入了Silent Switcher 3单片电源产品实现最佳瞬态性能。
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用于下一代射频应用的氮化镓 (GaN) 概述
近二十年来，氮化镓 (GaN) 半导体技术已被曝光，预示着射频功率能力的范式转变。尽管所有这些承诺尚未兑现，但 GaN 器件已稳步进入许多射频、微波、毫米波 (mmWave)，甚至现在甚至是太赫兹波 (THz) 应用。
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GaN 将射频应用推向新的阶段
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，可满足高功率和射频应用日益增长的需求。GaN 的带隙是传统硅的三倍以上，它允许功率器件在比硅更高的温度和电压下工作，而不会破坏或降低其性能和可靠性。此外，其极低的导通电阻使 GaN 能够提供非常高的电流和射频功率密度，在雷达、功率转换器和功率放大器等高功率射频系统中得到应用。
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氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力
数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
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