在现代电子设备的设计与制造中,印制电路板(PCB)作为电子元器件的载体和电气连接的桥梁,其性能直接影响着整个设备的运行效率和稳定性。特别是在高频、高速信号传输的场合,PCB上产生的射频能量成为了一个不容忽视的问题。本文将深入探讨PCB上产生射频能量的主要因素,并解析其对电子设备性能的影响。
固态技术为使用射频能量的系统带来了增强的控制功能和可靠性,人们对此早有认识,但射频功率晶体管缺少开发工具来帮助工程师充分利用这些优势。恩智浦半导近日宣布推出RFE系列射频能量系统解决方案。
氮化镓(GaN)和RF(射频)能量应用将为工业市场带来重大变革。我们研究了氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程,接下来将在日常生活中的射频能量系列第4部分中研究氮化镓如何用于工业加热和干燥。
我们“日常生活中的射频能量”系列此前的博客文章强调了氮化镓(GaN)技术在固态烹饪和等离子照明应用中的诸多优势,普遍认为氮化镓将对商业和工业市场产生变革影响。
随着氮化镓(GaN)技术的价值在商用微波和射频(RF)市场中得到认可,潜在的应用比比皆是,最值得注意的可能是射频能量领域,相关内容最近在以前的博客文章中重点介绍过。
从研发到商业部署的氮化镓(GaN)是当今影响微波和射频(RF)行业的单一最大的技术中断。氮化镓已经在众多射频应用中对系统性能,尺寸和重量产生了明显和深远的影响,并且使传统半导体技术所无法实现的系统级解决方案成为可能,其市场潜力才刚刚开始实现。
硬件和软件套件有助于加快并简化固态射频系统开发,经优化后可供烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统的商业制造商使用,系统设计人员能够以LDMOS的价格充分利用硅基氮化镓性能的优势,在IMS现场演示测试版,2017年秋季开始向客户供货
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。