在现代电子电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)因其高输入阻抗、低驱动功率和快速开关特性而被广泛应用。然而,在MOS管的开关过程中,尤其是在关断时,常常会出现电压尖峰现象,这不仅影响电路的稳定性,还可能对MOS管造成损害。本文将深入探讨MOS管关断时尖峰电压的产生机理,并提出有效的应对策略。
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