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加速特征相关(FD)干法刻蚀的工艺发展
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的(图1)。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。这些不均匀且特征相关的刻蚀速率使半导体工艺设计过程中刻蚀配方的研发愈发复杂。在本文中，我们将论述如何通过在SEMulator3D®中使用可视性刻蚀建模来弥补干法刻蚀这一方面的不足。
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的(图1)。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。这些不均匀且特征相关的刻蚀速率使半导体工艺设计过程中刻蚀配方的研发愈发复杂。在本文中，我们将论述如何通过在SEMulator3D®中使用可视性刻蚀建模来弥补干法刻蚀这一方面的不足。
