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立足产业发展新阶段，思锐智能以先进ALD技术拓展超摩尔时代新维度
日前，以“凝聚芯合力，发展芯设备”为主题的第十届（2022）中国半导体设备年会（CSEAC）在无锡太湖国际博览中心隆重召开。中国集成电路创新联盟秘书长、中国半导体协会集成电路分会理事长叶甜春在致辞中强调，中国集成电路发展到现在，确实需要进入新的阶段。这带来的变化就是从被动到主动的变化。如今，既然我们有自己的体系，就需要从系统应用、设计、制造、封测、装备、裁量、零部件形成内循环，然后对接国际资源构建国内国际双循环，最终主动打造一个以我为主的全球化的新生态。
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SRII重磅推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
功率器件作为半导体产业的重要组成部分，拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如，传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展，占据了绝对领先的市场份额。不过，随着新能源汽车、数据中心、储能、手机快充等应用的兴起，拥有更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件逐渐崭露头角，获得了业界的持续关注。
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GaN快充市场赛道提速，SRII交付半导体晶圆设备助力中国产能扩充
随着苹果公司正式推出140W氮化镓（GaN）快充，以智能手机、笔记本电脑为代表的消费电子快充市场迎来了又一标杆性产品的重要拐点。近两年来，全球GaN充电器的出货量已经突破了数千万只。然而，这仅仅只是开端。
