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准分子光刻技术与极紫外光刻技术
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
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技术奇迹！EUV光刻机被美国限制出口的真相
EUV光刻机是一项技术奇迹。 一台发生器每秒喷射出5万个微小的熔锡液滴，高功率激光对每个液滴进行两次爆破，第一次可以使锡成形，第二次是使锡蒸发成等离子体。 等离子体发出极紫外光辐射，这种辐射聚集成光束
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台积电7nm+大量供货：近40年终于实现EUV光刻
台积电今天宣布，N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户，这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。 EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5n
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首次加入EUV极紫外光刻！台积电二代7nm+工艺已量产
台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡，也领先Intel、三星一大步。 台积电表示，7nm+ EVU工艺的良品率已经提高
