-
栅极电荷测量原理图解析，十分有料！
在这篇文章中，小编将对MOS晶体管栅极电荷测量的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
-
关于功率开关MOSFET的栅极驱动，你知道吗？
伸缩门功率开关MOSFET的栅极驱动?它有什么作用?本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。
-
理解超级结技术
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超
-
MOS管栅极电阻在工业电源中的作用
1.是分压作用2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3.防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是防止过压产生)4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，
-
开关电源上的MOS管选择方法
今天我们在来一起学习下开关电源上面要怎么选择MOS管吧，看下开关电源上面选用MOS管应注意那些东西，哪些参数是MOS管在开关电源中起着决定性作用的，请往下看。MOS管最常见
-
一种用于侧光式WLED TV背光应用的功率解决方案
电感和电容的设计是获得快速瞬态响应性能，以及在led背光应用中实现纤薄设计的关键因素之一。由于电感是能量储存器件，故需要具有低DCR、高饱和电流的薄型电感。此外，为了获得较低的纹波电流，建议采用较高的电
-
一种用于侧光式WLED TV背光应用的功率解决方案
电感和电容的设计是获得快速瞬态响应性能，以及在led背光应用中实现纤薄设计的关键因素之一。由于电感是能量储存器件，故需要具有低DCR、高饱和电流的薄型电感。此外，为了获得较低的纹波电流，建议采用较高的电
-
一种用于侧光式WLED TV背光应用的功率解决方案
电感和电容的设计是获得快速瞬态响应性能，以及在led背光应用中实现纤薄设计的关键因素之一。由于电感是能量储存器件，故需要具有低DCR、高饱和电流的薄型电感。此外，为了获得较低的纹波电流，建议采用较高的电
-
一种用于侧光式WLED TV背光应用的功率解决方案
电感和电容的设计是获得快速瞬态响应性能，以及在led背光应用中实现纤薄设计的关键因素之一。由于电感是能量储存器件，故需要具有低DCR、高饱和电流的薄型电感。此外，为了获得较低的纹波电流，建议采用较高的电
-
基准工业级30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电
-
基准工业级30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电
-
IGBT驱动器输出性能的计算
摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是应用广泛的功率半导体器件，驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑，介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。 叙词：IGBT，驱动
