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栅极驱动变压器与高低侧驱动器详细实现
一般的逆变器、开关电源、电机驱动等应用中都需要2个以上mosfet或者IGBT构成桥式连接，其中靠近电源端的（比如图中红色部分）通常被称为高压侧或上臂、靠近地端的通常被称为低压侧或下臂（比如图中蓝色部分），高低只是针对两者所处位置不同，电压值不一样来区分的。 如果用驱动单个mosfet的方法去驱动高压侧的功率管，当需要关断下臂的时候，那么基本上臂是无法导通的，所以上臂和下臂的驱动电压值是不一样的，上臂要略高于下臂。
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Vishay推出采用平面封装的新款小型栅极驱动变压器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT，可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。Vishay Custom Magnetics的MGDT系列器件采用小尺寸20.57mm x 18.42mm平面封装，高度为11.43mm，损耗小，最小爬电和电气间隙为8mm。
