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GaN 器件如何提高谐振转换器效率
随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非传统的半导体材料，尤其是宽带隙(WBG)半导体，例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。因为宽带隙材料具有相对宽的带隙(与常用的硅相比)，所以宽带隙器件可以在高电压，高温和高频率下工作。宽带隙器件可以提高能效和延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
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集成氮化镓(GaN) 功率 FET正在改变传统电源方案
作为一名电力电子工程师，有句话说得好，没有从电力设备爆炸中吸取的教训，就没有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 调试开关模式电源的经验中，这似乎是正确的。通过反复试验和对设备故障的研究，我们可以学习如何设计可靠工作的转换器。
