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提升GaN SG HEMT性能：英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200 V单通道门极驱动器系列产品
【2022 年 1 月 17日，德国慕尼黑讯】最大化减少研发和成本的投入，以及确保中压氮化镓(GaN)开关的稳健和高效运行，是现代电力电子系统设计的几个核心要求。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)依照其战略性设计GaN产品组合，不断加强全系统解决方案，推出EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器IC系列产品。新的系列产品不仅提升了CoolGaN™肖特基栅(SG)HEMT的性能，同时也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。该门极驱动器系列产品可广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器、电信、服务器、机器人、无人机、电动工具和D类音频放大器等领域。
