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Navitas 在 GaN 半导体领域的设计之旅
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化镓 (GaN) 功率器件供应商，在拉斯维加斯举行的 CES 2023 上展示了其最新产品。这些基于 GaN 的设备涵盖从 20-W 手机充电器到 2-kW 数据中心电源和 20-kW 电动汽车 (EV) 充电器到兆瓦级并网产品。
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下一代氮化镓 (GaN)半桥 IC 可以提供 2 MHz 的开关频率
传统上，电源设计人员必须使用分立晶体管和多个外部元件(例如驱动器、电平转换器、传感器、自举电路和外围设备)构建半桥电路。Navitas Semiconductor最近宣布推出业界首款 GaNSense 半桥功率 IC，采用紧凑型 6×8-mm 表面贴装 PQFN 封装。
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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技术选择介绍
氮化镓 (GaN) 功率器件在几个关键性能指标上都优于硅 (Si)。具有低本征载流子浓度的宽带隙允许更高的临界电场，从而允许在更高的击穿电压下具有降低的特定导通电阻 (Rds on ) 的更薄的漂移层。导通损耗可以通过较低的 Rdson 降低，而动态损耗可以通过GaN可能的更小的裸片尺寸来降低. 当它与铝基异质结构结合时形成二维电子气 (2DEG) 的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件。
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GaN 半桥集成加速电力电子革命
功率半导体的第二次革命五年后，基于氮化镓 (GaN)的移动快速充电器主宰了旗舰智能手机和笔记本电脑型号，从传统功率硅芯片中抢占了市场份额。这种下一代“宽带隙”技术正在逐步进入主流移动应用程序，同时从该滩头市场突围，进入更高功率的消费者、太阳能、数据中心和电动汽车。一个新的电源平台——集成的、功能丰富的、高效的 GaNSense™“半桥”——是高功率、高速应用的基本组成部分，其中 GaN 不仅提供更小、更快速的充电和降低系统成本的应用，而且还可以节省大约 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。
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Wise-Integration 在亚洲部署其功率 GaN IC
Wise-integration是一家总部位于法国的初创公司，专注于设计和开发基于氮化镓 (GaN) 技术的解决方案，该公司宣布已与 EDOM Technology 建立渠道合作伙伴关系，以在亚洲部署其 WiseGan GaN 组件组合。
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动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。
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用于空间应用的 GaN 电源设计的问答
与需要定制制造工艺和封装以使半导体免受辐射影响的硅不同，氮化镓 (GaN) 器件由于物理特性和结构而在很大程度上能够抵抗辐射造成的损坏。 这些属性可以在卫星设计中加以利用。轨道电子必须承受伽马射线、中子和重离子的影响。质子占 空间辐射的 85% ，而较重的原子核占其余部分。辐射会恶化，中断敲除卫星电子元件。
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用于下一代电力电子的 GaN 出现
荷兰芯片制造商Nexperia赞助的最近行业活动的参与者表示，汽车、消费和航空应用中的功率转换等应用正在利用氮化镓 (GaN)技术的优势。 例如，Kubos Semiconductor 正在开发一种称为立方 GaN 的新材料。“它是立方氮化镓，我们不仅可以在 150 毫米及以上的大型晶圆上生产它，而且还可以扩展到更大的晶圆尺寸，并可以无缝插入现有的生产线，”Kubos 首席执行官 Caroline 说奥布莱恩。
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了解 GaN 的电磁兼容性EMI
氮化镓 (GaN) 晶体管开关速度快！在工作台上，我测量了每纳秒 40V 的开关节点 dv/dt！这比我使用的典型 DC/DC 转换器高约 30 倍，虽然这有助于降低开关损耗，但它确实使满足电磁兼容性 (EMC) 的挑战更加困难。为什么？因为电压和电流的变化率会激活寄生电路元件，从而产生辐射和传导噪声的噪声源。
