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mos管开关电路原理详解
D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。
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你知道场效应管的源极和漏极可以调换吗？
关于场效应管的源极和漏极，你知道它们可以互换使用吗?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质：
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关于栅极，源极，漏极，你能区分吗？
学过电路的人都知道栅极，源极，漏极，那么真的能分清栅极，源极，漏极吗?栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。
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OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET，你知道吗？
什么是OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET?它有什么作用?英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
