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第三代半导体火爆下的烂尾隐忧及国内外技术差距的认知偏差
近年来，第三代半导体因其优异的物理特性和广泛的应用前景，迅速成为全球科技产业关注的焦点。这类半导体材料，主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)，在电力电子、光电子和无线射频等领域展现出了巨大的潜力。尤其是在新能源汽车、5G通讯、光伏发电等领域，第三代半导体正在逐步取代传统的硅基半导体，成为新一代的技术核心。然而，在这一片火热的背后，隐藏着诸多烂尾项目的隐忧以及国内外技术差距的认知偏差。
近年来，第三代半导体因其优异的物理特性和广泛的应用前景，迅速成为全球科技产业关注的焦点。这类半导体材料，主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)，在电力电子、光电子和无线射频等领域展现出了巨大的潜力。尤其是在新能源汽车、5G通讯、光伏发电等领域，第三代半导体正在逐步取代传统的硅基半导体，成为新一代的技术核心。然而，在这一片火热的背后，隐藏着诸多烂尾项目的隐忧以及国内外技术差距的认知偏差。
