随着在晶体管制造中引入新的宽带隙材料,例如氮化镓 (GaN),显着的品质因数改进转化为电源的潜在改进。使用比硅基半导体具有更高带隙的新型材料可以减小芯片尺寸,同时保持相同的阻断电压。
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