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意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
2024年9月27日，中国– 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推出更多先进的 SiC 技术创新成果，履行创新承诺。
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电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth 选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外，我们还能够延长测试时间，以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。测试结果表明，根据阈压为模块选择适合的裸片可以优化散热性能，减少热失衡现象。
