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英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
【2024年10月29日, 德国慕尼黑讯】继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300㎜，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。
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