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ADI 高功率硅开关可节省大规模 MIMO RF 前端设计中的偏置功率和外部组件
多输入、多输出 (MIMO) 收发器架构广泛用于高功率 RF 无线通信系统的设计。
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ADI 高功率硅开关可节省大规模 MIMO RF 前端设计中的偏置功率和外部组件
多输入、多输出 (MIMO) 收发器架构广泛用于高功率 RF 无线通信系统的设计。作为迈入 5G 时代的一步，覆盖蜂窝频段的大规模 MIMO 系统目前正在城市地区进行部署，以满足用户对于高数据吞吐量和一系列新型业务的新兴需求。高度集成的单芯片射频收发器解决方案 (例如，ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009产品系列) 的面市促成了此项成就。在此类系统的 RF 前端部分仍然需要实现类似的集成，意在降低功耗 (以改善热管理) 和缩减尺寸(以降低成本)，从而容纳更多的 MIMO 通道。
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采用紧凑栅格阵列封装的ADI 44 GHz硅开关提供业界最低插入损耗
ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架构，工作温度范围为 –40°C 至105°C 。所有引脚均具有强固的静电放电 (ESD) 保护。器件标称电源电压为 ±3.3 V，电源电流低于120 μA (典型值)。器件使用标准的正逻辑控制电压，简化了接口设计。
