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什么是硅穿孔技术
随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会不可或缺的一部分。在这个领域中，硅穿孔技术(Through-Silicon Via, TSV)正逐渐崭露头角，成为连接微电子器件内部和外部世界的桥梁。本文将详细介绍硅穿孔技术的概念、原理、应用领域以及面临的挑战和未来的发展趋势。
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三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：单芯片容量提至24GB
近日，三星电子宣布率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。随着集成电路规模的扩大，如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战，其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称，他们得以将12片DRAM芯片通过60
小轩窗
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