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GaN 器件如何提高谐振转换器效率
随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非传统的半导体材料，尤其是宽带隙(WBG)半导体，例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。因为宽带隙材料具有相对宽的带隙(与常用的硅相比)，所以宽带隙器件可以在高电压，高温和高频率下工作。宽带隙器件可以提高能效和延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
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SiC MOSFET：经济高效且可靠的大功率解决方案
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。
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科锐携手德尔福科技为实现共赢，在汽车SiC器件方向合作
汽车产业正在寻求加速从内燃机向电动汽车(EV)的转变，从而碳化硅(SiC)基功率解决方案的采用正在整个汽车市场实现快速地增长。IHS预计，到2030年高电压电动轻型汽车的销量将达到3000万台(占全球全部汽车销售的27%)。电控逆变器是最具价值的电气化部件之一，电控逆变器效率对于汽车性能众多方面都可以带来产业变革性的影响。
