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SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长
碳化硅 (SiC) 半导体在处理高功率和导热方面比电动汽车 (EV) 系统和能源基础设施中的传统硅更有效的能力现已得到广泛认可。SiC 器件有助于更有效地将电力从电池传输到 EV 系统组件中的电机，从而将 EV 的行驶里程增加 5% 至 10%。
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碳化硅 (SiC) 用于各种应用已有 100 多年的历史,为什么SiC 突然流行起来
碳化硅 (SiC) 用于各种应用已有 100 多年的历史。然而，如今半导体材料比以往任何时候都更受欢迎，这在很大程度上是由于其在工业应用中的使用。
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提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性
电动汽车设计人员可以通过监控栅极电压阈值来提高牵引逆变器系统的安全性和可靠性。 当消费者购买汽车时，他们认为设计工程师尽职尽责地创造了一款安全的产品。为了达到必要的安全水平，特别是在国际标准化组织 (ISO) 26262 标准方面，车辆内的子系统(例如牵引逆变器)必须包括内部诊断和保护功能，以帮助检测潜在的故障模式。
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建立SiC VJFET 的动态电路模型
在与电子仪器相关的行业中，与传统的硅基半导体相比，宽带隙半导体的创新已被证明是有利可图和有效的。碳化硅 (SiC)宽带隙半导体是最先进的半导体之一，具有显着的相关性。这些半导体在各种参数(如高温、频率、电压等)方面表现相当出色。
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碳化硅 FET 在 SMPS 应用中大放异彩
碳化硅 (SiC) FET 开始在 PWM(脉冲宽度调制)和 SMPS(开关模式电源)系统的固有效率已经成为优势的市场中获得关注。这项新技术的一些主要参与者展示了比之前的 IGBT 和传统 MOSFET 设计效率更高的电源系统。在夏威夷这样的地方，电费可能超过 0.35 美元/千瓦时，这一点变得很重要。在欧洲和亚洲也有类似的高电力成本需要处理。对于生活在电网之外的人来说，这也很重要。
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如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性
碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20 V 的电压，而要打开它，需要大约 -5 V 的负电压(地)，并且开关驱动器必须非常快，否则会增加工作温度、开关损耗和更大的电阻 Rds(on)。
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碳化硅对EV 应用的性能提升超过了其应用成本
电力电子仍然主要基于标准硅器件。虽然三电平和其他硅电路拓扑正在出现以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 设计正在出现，以满足电动汽车不断增长的高功率要求。
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评估 SiC 在汽车行业之外的潜力
碳化硅 (SiC) 因其更高的开关频率和更高的结温而被称为汽车行业传统 Si IGBT 器件的继承者。此外，在过去五年中，汽车行业已成为基于 SiC 的逆变器的公共试验场。事实证明，通过 SiC 转换器实现 DC 到 AC 的基本转换比硅 (Si) 转换器更小、更轻且更高效，因此宽带隙器件在汽车行业的潜力将显着增长。
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动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。
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碳化硅器件提高飞机电源系统效率
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料，计划显着降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率，同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性，从而降低了电源系统的整体架构。
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如何为 SiC MOSFET 选择合适的栅极驱动器
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半导体行业取得了重大进展，这要归功于与硅基开关相比的一系列优势。这些包括更快的开关、更高的效率、更高的工作电压和更高的温度，从而产生更小、更轻的设计。 这些属性导致了一系列汽车和工业应用。但是像 SiC 这样的宽带隙器件也带来了设计挑战，包括电磁干扰 (EMI)、过热和过压条件，这些可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。
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碳化硅技术推动向全电动未来的转变
Wolfspeed，前身为 Cree，以一项重大的设计胜利开始了其品牌重塑：与通用汽车达成供应链协议，为汽车制造商的电动汽车开发和生产碳化硅 (SiC) 半导体。8 月，Wolfspeed 以 8 亿美元的价格扩大了与 STMicroelectronics 的多年协议，以供应 150 毫米裸片和外延 SiC 晶圆。
