在本文中，我们将重点介绍老化测试如何帮助评估碳化硅 MOSFET 在晶圆级的栅极阈值电压的稳定性。众所周知，关于 SiC 功率器件可靠性的一个主要问题是器件工作期间阈值电压 (V TH ) 的变化。
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