本文研究主要考虑基于CuSn金属互化物的微凸点(μbump)作为芯片堆叠的手段。系统研究了形成金属互化物凸点连接的两种方法。一:瞬时液相(TLP)键合,在此过程中,全部Sn焊料熔化,随后通过与焊料盘的作用及凸点下金属化层(UMB)转变为金属间化合物。这些金属间化合物的特点是比焊料本身有更高的熔点。
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