LDO即low dropout regulator,是一种低压差线性稳压器 。这是相对于传统的线性稳压器 来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7v,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。
目前,虽然LED的理论寿命可以达到50kh,然而在实际使用中,因为受到种种因素的制约,LED往往达不到这么高的理论寿命,出现了过早失效现象,这大大阻碍了LED作为新型节能型产品的前进步伐。通过对LED主要失效模式的分析,可以从中获悉改善LED在实际使用寿命的技术方法。
在生活中处处可以见到LED的影子,LED失效模式主要有:芯片失效、封装失效、热过应力失效、电过应力失效以及装配失效,其中尤以芯片失效和封装失效最为常见。本文将就这几种主要失效模式,进行详细的分析。
高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管,大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。