要测量弱电流,就必须理解各种潜在的误差源[1],这些误差会造成人们所不希望出现的测量误差[2]。影响多种类型的纳米电子器件的测量结果的两种极为常见的误差源是摩擦生电效应和电化学效应(图2)。
本文仅仅探讨了纳米技术[1]的多种应用中的少数几个,以及需要更为深入地理解所研究的器件和材料时必须采用的测量方法。每天,各研发实验室都诞生各种新的思想和创新点。随着新点子的出现,人们也需要各
电缆的不当使用会造成测量时间过长的问题。共轴电缆提供了一个传输信号的内导体和屏蔽。内导体和屏蔽之间存在着可供漏电流流过的旁路电阻和电容通路[1](图4)。除了作为漏电流的通路之外,旁路的R和C还
热电压或者EMF是低电压测量[1]中最常见的误差源。如图5所示,当电路的不同部分处于不同的温度时,以及由不同材料构成的导体连接到一起时,就会产生这些电压。表中列出了各种材料相对于铜的See beck[2]系
对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难,而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件,这也给人们的电学测量工作带来了种种限制。
对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难,而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件,这也给人们的电学测量工作带来了种种限制。在任
要测量弱电流,就必须理解各种潜在的误差源,这些误差会造成人们所不希望出现的测量误差。影响多种类型的纳米电子器件的测量结果的两种极为常见的误差源是摩擦生电效应和电化学效应(图1)。