全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)是一种平面工艺技术,依赖于两项主要技术创新。首先,在衬底上面制作一个超薄的绝缘层,又称埋氧层。
物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料,如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。
表面泄漏电流会导致连接点热量增加,热量增加又会促使绝缘层的退化,从而使导线变得脆弱。使所有的连接都保持清洁和紧固会使表面泄漏电流最小化。在600V及以下的系统中,表面泄漏电流是最小的,在中压(1kV至35kV)应用中,表面泄漏电流即成为了重要的一个因素。
据报道,中日科学家在拓扑绝缘体上做起了文章,他们发现了一种新的充电方式,可以在在室温下直接产生电流,不仅不需要外部充电,更不会造成能量损耗。我们在初中物理课本上
一种新的充电方式,可以在在室温下直接产生电流,不仅不需要外部充电,更不会造成能量损耗。