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EPC公司的40 V eGaN®FET是需要高功率密度的电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET)，器件型号为EPC2067，专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

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2021-10-29

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