近日,俄媒报道俄罗斯自主芯片企业贝加尔电子(Baikal Electronics)在受到西方制裁之后举步维艰,其封装的处理器良品率只有不到50%,知情人士称,贝加尔电子超过一半的芯片都是瑕疵品,原因一是相关设备还需要正确调校,二是芯片封装工人技能不足。
HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能(AI)芯片,据业界消息,英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战,因为相比传统DRAM产品,HBM的良率明显较低。
韩国媒体最新报导,三星的 3nm、4nm 制程工艺良率已从年初的大约五成迅速提升至 60% 和 75%,更先进的 2nm 制程也在加急与台积电竞争,晶圆代工事业不断追赶台积电,后续将准备抢台积电的先进制程订单。
据 21ic 业内获悉,近日三星的晶圆代工事业 4nm 制程工艺良率提升较为明显,韩国媒体报道其良率已经接近台积电。据称该信息已经引起苹果在内部会议中的关注,鉴于三星的的优惠价格以及目前台积电的订单垄断,苹果或将考虑将部分晶圆代工订单转单三星。
据 21ic 信息报道,台积电的第一代 3nm 工艺(N3)仍采用鳍式场效应晶体管架构制程工艺,在去年最后的几天在南科厂正式投入开始商业量产,随后产能在不断提升。有报道称已经量产了一个季度的台积电 3nm(N3)制程工艺目前的良率约为 63%,正在追赶自家 4nm 良率。
据业内信息,上周台积电在南部科学园区晶圆18厂新建工程基地举行3nm量产暨扩厂典礼,台积电董事长刘德音表示,目前3nm良率与5nm量产同期相当并大量排产,而且市场需求非常强劲,预计每年带来的收入都会大于同期的5nm。
台积电已经确认会在 9 月份量产 3nm 工艺,初期良品率优于 5nm,首批 3nm 产能不出意外的话就是苹果 M2 Pro 和英特尔瓜分,但初期产能不会太多。
前不久有传闻称三星7nm EUV工艺良率不行,导致客户的5G芯片全部报废,此事闹得沸沸扬扬,还上了微博热搜,随后三星官方发表声明否认相关爆料,表示内容与事实完全不符。 三星方面表示,三星Foundry