瑞萨电子(Renesas)开发全新28奈米嵌入式快闪记忆体技术。该技术可达更快的读取与覆写速度,且针对采用28奈米(nm)嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术的晶片内建快闪记忆体微控制器(MCU)所设计。新技术利用记忆体单元电
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