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使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-EPAD MOSFET参数介绍
EPAD MOSFET 是一种有源器件，可在大量设计中用作基本电路元件。有许多电路可以利用它们。使用这些 EPAD MOSFET 器件的潜在设计和用途的数量仅受设计人员的需求和想象力的限制。
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使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-亚阈值电压操作
在阈值电压或低于阈值电压时，EPAD MOSFET 在称为亚阈值区域的工作区域中表现出关断特性。这是 EPAD MOSFET 传导通道根据施加的栅极电压快速关闭的区域。由栅电极上的栅电压引起的沟道呈指数下降，因此导致漏极电流呈指数下降。然而，通道不会随着栅极电压的降低而突然关闭，而是以每十倍电流下降约 110 mV 的固定速率下降。
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使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-增强型 EPAD MOSFET
ALD1148xx/ALD1149xx 产品是耗尽型 EPAD MOSFET，当栅极偏置电压为 0.0V 时，它们是常开器件。耗尽模式阈值电压处于 MOSFET 器件关断的负电压。提供负阈值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在没有电源电压且 Vgs = 0.0V 的情况下，这些 EPAD MOSFET 器件已经开启，并且在源极和漏极端子之间表现出受控的导通电阻。
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使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-“零阈值”模式设备
寻求在电路设计中实现更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势，这给电气工程师带来了艰巨的挑战，因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来，工程师们一直将这些特性视为基本特性，并可能阻止他们最大限度地扩大可用电压范围，否则会使新电路取得成功。
