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使用双向 GaN 开关实现单级功率转换
英飞凌的单片双向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技术，代表了电力电子领域的一项非凡创新，特别是在实现单级功率转换方面。这些 BDS 有助于开发具有更少组件、更低成本和简化设计的转换器，与传统两级方法相比具有显着优势。
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英飞凌实现GaN技术突破——单片高压CoolGaN BDS大幅简化双向开关设计GaN
受到低碳可持续发展和AI两大需求方向推动，全球功率半导体市场正在飞速增长，预计到2026年将达到262亿美元市场规模。传统的硅基设备（包括整流器、晶闸管、双极型晶体管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模块及IPM）在某些应用中会有所增长，但在其他市场正逐步被宽带隙（WBG）技术产品所取代。氮化镓（GaN）预计会快速增长，目前主要应用在消费电子领域，但将逐步进入工业和汽车领域。碳化硅（SiC）则将继续在高功率汽车和工业应用中保持增长并扩大渗透率。具体市场估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管），包括分立器件和集成器件，市场规模约为10亿美元；SiC MOSFETs和二极管，包括分立器件和模块，市场规模约为30亿美元。
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新型电源解决方案CoolGaN解析
电子器件向着小型化方向发展，GaN解决方案提供的高功率密度使器件尺寸变得更小，从而简化了设计过程中的布局并减少了损耗。宽带隙甚至可以在高温下运行。 GaN器件还可以以比其硅等效器件更高的频率工作，移动速度最高可快10倍。
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新的电源转换标杆：英飞凌CoolGaN可圈可点
未来十年，基于氮化镓的器件市场总值有望超过10亿美元，从市场的分布来说，电源类产品大概占到整个市场的40%左右。在汽车类的应用可能起步得比较晚，但是它的成长非常快，未来汽车关于氮化镓的应用是一个非常大的应用。
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