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基于底部焊端元件空洞问题的改善措施
以 QFN 和 DFN 封装为代表的底部焊端组件 (Bottom Terminiation Components, BTCs) 市场在电子行业中迅速增长，其主要驱动因素是小型化和成本。
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业界首款采用紧凑型 DFN 封装，Bourns 功率瞬态电压抑制二极管正式上市 (SC)
Bourns®SMD表面贴装器件PTVS1 和 PTVS2 系列，采用最小 DFN 封装，可满足日益增长的电路保护需求，其浪涌电流高达1kA和2kA
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Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合
相比现有SMD器件可节省90%空间，支持AOI检测
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UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
2020年2月3日，美国新泽西州普林斯顿---美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
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Microchip发布超小型DFN封装的PIC10F微控制器
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微芯科技发布超小型DFN封装MCU 尺寸
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DFN和QFN封装板级应用手册
简介 ON Semiconductor公司的各种元器件都采用了先进的双边或方形扁平无铅封装（DFN/QFN）。DFN/QFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板（PCB）的安装垫、阻焊层
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首个DFN封装的1.8V双路和四路运算放大器
凌特公司推出业界第一个采用纤巧 DFN 封装的 1.8V 双路和四路运算放大器 LT6001 和 LT6002。这些微功率器件的每个放大器仅消耗 1.3uA 电流，并具有卓越的性能。在 25oC 时最大输入失调电压为 500uV，而在整个温度范围
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采用 3mm x 3mm DFN 封装的36V、2A （IOUT）、500kHz 降压型 DC/DC 转换器
北京 - 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降压型开关稳压器 LT1912,该器件采用 3mm x 3mm DFN (或 MSOP-10E) 封装.LT1912 的 3.6V 至 36V 输入电压范围使其非常适用于汽车应用中的负载突降
